过去五年中，遇到预防自马丁团队在Nature和Science上共发表了两篇文章。

【背景介绍】石墨烯由于其超高电导率、山火优异的导热率和良好机械强度等物理特能，成为世界范围内广泛研究的焦点。目前，遇到预防自利用化学气相沉积（CVD）法可以较容易的在金属衬底上生长出大面积、高质量石墨烯薄膜。

通过仿真模拟，山火作者发现在NPSS的凹三角锥处（r-面）的气体流速比平面处（c-面）低近两个数量级。总之，遇到预防自该工作揭示一种在介电基底上可控的生长图案化石墨烯的新思路，将有助于推进石墨烯的应用进程。图四、山火调节系统压力和改变碳前驱物实现NPSS上满层石墨烯的生长（a）常压体系下NPSS表面气体流速的二维仿真模拟。

遇到预防自文献链接：DirectGrowthofNanopatternedGrapheneonSapphireandItsApplicationinLightEmittingDiodes.（Adv.Funct.Mater.,2020,DOI:10.1002/adfm.202001483）本文由CQR编译。山火研究成果以题为 DirectGrowthofNanopatternedGrapheneonSapphireandItsApplicationinLightEmittingDiodes发布在国际著名期刊Adv.Funct.Mater.上。

图三、遇到预防自在NPSS上石墨烯选择性生长的DFT计算（a）DFT计算的c-面蓝宝石单位面积表面能随O化学势的变化。

在介电衬底上直接生长石墨烯可以避免繁琐转移过程，山火与半导体制造工艺相兼容，但仍需要通过曝光、刻蚀等工艺来进行图案化，限制了规模化应用。因此，遇到预防自为自己和家人选择一款高品质的淋浴房，是对每日生活沐浴体验的决定性动作，也是对自己在纷乱都市中的一种实用的奖赏。

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